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供应500V,50A N-CH MOSFET管K1522 trr = 120 ns, 500V,50A N-CH MOSFET管K1837 trr = 620 ns
Application
High speed power switching
Features
· Low on-resistance
· High speed switching
· Low drive current
· Built-in fast recovery diode (trr = 120 ns)
· Suitable for motor control, switching regulator, DC-DC converter
IGBT管的万用表检测方法
IGBT 管的好坏可用指针万用表的 Rxlk 挡来检测,或用数字万用表的“二极管”挡来测量 PN 结正向压降进行判断。检测前先将 IGBT 管三只引脚短路放电,避免影响检测的准确度;然后用指针万用表的两枝表笔正反测 G 、 e 两极及 G 、 c 两极的电阻,对于正常的 IGBT 管(正常 G 、 C 两极与 G 、 c 两极间的正反向电阻均为无穷大;内含阻尼二极管的 IGBT 管正常时, e 、 C 极间均有 4k Ω正向电阻),上述所测值均为无穷大;最后用指针万用表的红笔接 c 极,黑笔接 e 极,若所测值在 3 . 5k Ω l 左右,则所测管为含阻尼二极管的 IGBT 管,若所测值在 50k Ω左右,则所测 IGBT 管内不含阻尼二极管。对于数字万用表,正常情况下, IGBT 管的 C 、 C 极间正向压降约为 0 . 5V 。
综上所述,内含阻尼二极管的 IGBT 管检测示意图如图所示,表笔连接除图中所示外,其他连接检测的读数均为无穷大。
如果测得 IGBT 管三个引脚间电阻均很小,则说明该管已击穿损坏;若测得 IGBT 管三个引脚间电阻均为无穷大,说明该管已开路损坏。实际维修中 IGBT 管多为击穿损坏。
K1522
HITACHI
TO-247/TO-3PL
普通型
直插式
散装
供应20V,8.4A DUAL P-CH MOS管SI4943BDY
供应Switching N-channel Power Mos场效应管 2sk3918
供应20V,6A,DUAL N-CH MOSFET管MMDF6N02HD
供应60V,25A,P-CH MOS场效应管J477
供应开关电源高压场效应管(HV PowerMOSFET)NK4N60
供应MC14541BCP可编程计时器和振荡器
供应7667CBA双重功率MOSFET
供应功率MOSFET管/P4404EDG/P2504BDG
供应55V,110A N-Ch MOSFET管IRF3205PBF
供应600V.2A N-CH MOS管1HNC60