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大功率IGBT逆变功率半导体模块FZ2400R17KE3-B9-S1

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IGBT模块；可控硅模块；整流桥模块；二极管模块；电容；晶闸管；IPM模块;半导体功率模块;PLC模块，风机，传感器，驱动板，主控板，电源板，变频器配件

产品特征描述：

1. 提高工作温度Tvj op
2. 低开关损耗
3. 低 VCEsat
4. Tvj op = 150?C
5. 4 kV 交流 1 分钟绝缘
6. 封装的 CTI > 400
7. 高爬电距离和电气间隙
8. 铜基板
9. UL

产品优势：

IGBT是什么？
IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。北京京诚宏泰科技有限公司销售供应英飞凌IGBT模块FZ1200R12KF5碳化硅变频器电源 GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT与MOSFET的对比   供应英飞凌IGBT模块FZ1200R12KF5碳化硅
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。
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优点：热稳定性好、安全工作区大。
缺点：击穿电压低，工作电流小。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。
北京京诚宏泰科技有限公司销售供应英飞凌IGBT模块FF1200R17KP4_B2碳化硅
特点： 

击穿电压可达1200V，集电极饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。
IGBT的典型应用
电动机
不间断电源
太阳能面板安装
电焊机
电源转换器与反相器
电感充电器
电磁炉

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