供应阿尔斯通牵引门极驱动板DTR0000205475/H

阿尔斯通牵引门极驱动板DTR0000205475/H

铁路机车变流器用牵引门极驱动板DTR0000205475/H

北京京诚宏泰科技有限公司供应阿尔斯通牵引门极驱动板DTR0000205475/H

供应牵引变流器用IGBT模块，二极管，电容

牵引门极驱动板DTR0000205475/H除了IGBT外， 该模块还包括集成式(集成的)门驱动电路，以及检测和防止过流、过压、过热和门驱动电压不足(门极驱动欠压)等故障的电路。

电力机车牵引的牵引门极驱动板DTR0000205475/H

HVIPM（High Voltage Inligent Power Module）为了进一步发挥IGBT芯片的性能，采用的驱动电路，是将自我保护（过电流、控制电源电压降低、过热）功能等实现IC化的高性能模块。为大容量变换器装置的小型化和节能化贡献力量，作为IPM，产品阵容中的zui大额定值达到3.3kV/1.2kA

PM1500HCR330-1主要用途变换器装置 / 换流器装置 / DC斩波器装置

PM1500HCR330-1

PM1200HCE330-1

PM600HCR650

CM900HC-90H 203

CM900HC-90H 204

CM900HB-90H
CM900HG-90H

CM1200HC-66H

CM1200HB-66H 209

CM1200HG-90R

MG900GXH1US53

CM750HG-130R

CM600HG-130H

北京京诚宏泰科技有限公司是一家集渠道、分销、经销 、直销及OEM模式为一体的电力电子半导体销售和电力电子行业解决方案的产业链供应商。

销售国内外品牌电力电子半导体器件、变频器、变频器配件、铝电解电容和功率模块；主要经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、

SIEMENS西门子、西门康Semikron、 IXYS艾赛斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科，DYNEX 丹尼克斯、Vacon伟肯、Mitsubishi三菱、

Fuji富士、Fairchild飞兆半导体、TOSHIBA东芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因达NIEC，美国IR，瑞士ABB，POWERSEM,NELL尼尔；yaskawa安川；

英国西玛，西班牙CATELEC等公司生产的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶闸管、GTO、GTR达林顿、整流桥、二极管、场效应模块；日本富士（FUJI）、

日之出（HINODE）、法国罗兰（FERRAZ）、英国GOULD、美国BUSSMANN快速熔断器；KEMET，意大利Arcotronics（AV),

Itelcond,意大利FACON,德国伊凯基ELECTRONICON，法国汤姆逊TPC，日本日立、黑金刚NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；

红宝石，epcos艾普科斯、瑞典RIFA力发、英国BHC，BHC Aerovox 电解电容以及美国CDE无感电容；瑞士CONCEPT IGBT驱动、光耦、变频器主控板、驱动板，电源板，通信板，接口板

操作面板

英飞凌IGBT模块FZ1800R17HE4_B9

IGBT是什么？

IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT与MOSFET的对比

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。

优点：热稳定性好、安全工作区大。

缺点：击穿电压低，工作电流小。北京京诚宏泰科技有限公司英飞凌IGBT模块FZ1800R17HE4_B9

IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。

特点：击穿电压可达1200V，集电极饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。