日立IGBT模块MBN800E33D-P

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什么是IGBT

IGBT是绝缘栅双极晶体管的简称，是一种三端半导体开关器件，可用于多种电子设备中的高效快速开关。

IGBT主要用于放大器，用于通过脉冲宽度调制 (PWM) 切换/处理复杂的波形。

你可以看到输入侧代表具有栅极端子的MOS管，输出侧代表具有集电极和发射极的BJT。

集电极和发射极是导通端子，栅极是控制开关操作的控制端子。

IGBT逆变模块IGBT inverter module3EST000223-1474IGBT 3300V 1500A MBN1500E33E2

IGBT制动模块IGBT braking module3EST000223-2841IGBT 斩波器3300V 1000A MBL1000E33E2-B

ACM（IGBT-module3300V 400A)3EGM065727R0001Hitachi  MBL400E33D3EGM065727R0001

MBN1200D33A
MBN1200H45E2-H
MBN1500E33E3
MBN1200E25E
MBL800E33C
MBL400E33D
MBL1000E33E-B
MBL1000E33E2-B
MBN800E33D-P
MBN1200E33C 
MBN1500E33C
MBN1200D33C
MBN1000GR12A
MBN1200E17D
MBN1200E33D
MBN1200E33E
MBN1500E33E

IGBT模块

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成。IGBT兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动、UPS不间断电源等设备上。
MBN1800D17C
MBN800E33D
MBN800E33E
MDM1200H45E2-H
MBN1200H45E2-H
MDM800E33D
MBN750H65E2
MDM750H65E2

IGBT模块；单管IGBT模块；双管半桥IGBT模块；4单元H桥IGBT模块；3单元IGBT模块；6单元三相全桥IGBT模块；
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电磁炉

PM1500HCR330-1
PM1200HAF450
PM1200HCH330-203 
PM1200HCH330-205 
PM1200HAH330-205 
PM1200HCE330-1