晶体MOS管 FCP125N60E 原装 现货

FCP125N60E FCP125N60E FCP125N60E

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 29 A

Rds On-漏源导通电阻: 125 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V, 30 V

Qg-栅极电荷: 75 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 278 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: SuperFET II

封装: Tube

高度: 16.3 mm  

长度: 10.67 mm  

系列: FCP125N60E  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 4.7 mm  

商标: ON Semiconductor / Fairchild  

正向跨导 - 最小值: 25 S  

下降时间: 23 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 20 ns  

工厂包装数量: 800  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 106 ns  

典型接通延迟时间: 23 ns  

单位重量: 1.800 g