ATP304-TL-H ON原厂渠道 FDMA6676PZ

ATP304-TL-H  ATP304-TL-H  ATP304-TL-H

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 6.5 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 250nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 13000pF @ 20V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 90W（Tc）

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 ATPAK

封装/外壳 ATPAK（2 引线 + 接片）