供应N通道600V晶体管MOSFET STD10NM60N

地区:广东 深圳
认证:

深圳市凌涵科技有限公司

金牌会员10年

全部产品 进入商铺
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 
商标: STMicroelectronics
Id-连续漏极电流: 10 A
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Rds On-漏源导通电阻: 550 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Qg-栅极电荷: 19 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 70 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
封装: Reel
配置: Single
下降时间: 15 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 12 ns
系列: N-channel MDmesh
工厂包装数量: 2500
典型关闭延迟时间: 32 ns
型号/规格

STD10NM60N

品牌/商标

ST(意法半导体)

封装形式

TO252

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

盒带编带包装

功率特征

小功率