IR功率场效应管MOSFET IRF2807

IRF2807 概述

IR的HEXFET功率场效应管IRF2807采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。

IRF2807这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得

IRF2807成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。TO-220封装的IRF2807普遍适用

于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF2807得到业

内的普遍认可。D2Pak封装的IRF2807适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装

，可说是功率最高，导通阻抗。TO-262是IRF2807的通孔安装版，适合较低端的应用。

IRF2807 参数
IRF2807 基本参数
VDSS 75 V
ID @25℃ 82 A
RDS(on) Max 13 mΩ
IRF2807 其他特性
FET极性 N型沟道
Qg Typ 106.7 nC
IRF2807 封装与引脚
TO-220AB, TO-263, TO-262

IRF2807 特性
先进的工艺技术
贴片安装（IRF2807S）
低端通孔安装（IRF2807L）
超低导通阻抗
动态dv/dt率
175℃工作温度
快速转换速率
无铅环保

型号/规格

IRF2807

品牌/商标

IR

封装形式

TO220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

管装

功率特征

小功率

供应IR功率场效应管MOSFET IRF2807