N沟道场效应管仙童系列MOSFET FQPF7N80C

类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：QFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.9 欧姆 @ 3.3A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：35nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：1680pF @ 25V
功率 - 最大：56W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 整包
供应商设备封装：TO-220F
包装：管件
标准包装：50

主要应用范围：家用电器，LED产品，变频器，伺服器等等

型号/规格

FQPF7N80C

品牌/商标

FAIRCHILD（飞兆）

封装形式

TO220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

管装

功率特征

中功率

供应N沟道场效应管 仙童系列MOSFET FQPF7N80C

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