供应低阻抗高速率场效应管,MOSFET IRF1010

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IRF1010 概述

IR的HEXFET功率场效应管IRF1010采用先进的工艺技术制造,具有极低的导通阻抗。

IRF1010这种特性,加上快速的转换速率,和以坚固耐用著称的HEXFET设计,使得

IRF1010成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。TO-220封装的IRF1010普遍适用

于功耗在50W左右的工商业应用,低热阻和低成本的TO-220封装,使IRF1010得到

内的普遍认可。D2Pak封装的IRF1010适用于贴片安装,比起现有的任何其他贴片

封装,可说是功率最高,导通阻抗。TO-262是IRF1010的通孔安装版,适合较低

端的应用。

IRF1010 参数
IRF1010 基本参数
VDSS 60 V
ID @25℃ 81 A
RDS(on) Max 12.0 mΩ
IRF1010 其他特性
FET极性 N型沟道
Qg Typ 86.6 nC
IRF1010 封装与引脚
TO-220AB, TO-263, TO-262

IRF1010 特性
先进的工艺技术
贴片安装(IRF1010ES、IRF1010NS)
低端通孔安装(IRF1010EL)
超低导通阻抗
动态dv/dt率
175℃工作温度
快速转换速率

无铅环保

封装信息
IRF1010E封装信息:
类型:TO-220AB
引脚:3 直引脚
包装规格
IRF1010E包装规格:
类型:Tube(管装)
每管:50 pcs

型号/规格

IRF1010

品牌/商标

IR

封装形式

TO220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

管装

功率特征

小功率