IGBT晶体管STGW39NC60VD原装现货

制造商编号： STGW39NC60VD
制造商： STMicroelectronics
产品种类: IGBT 晶体管
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.8 V/1.7 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
Pd-功率耗散: 250 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: STGW39NC60VD
封装: Tube
集电极最大连续电流 Ic: 80 A 
高度: 20.15 mm 
长度: 15.75 mm 
宽度: 5.15 mm 
商标: STMicroelectronics 
集电极连续电流: 70 A 
栅极—射极漏泄电流: +/- 100 nA 
产品类型: IGBT Transistors 
工厂包装数量: 600 
子类别: IGBTs 
单位重量: 38 g