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TIP35CW TO-247 双极晶体管原装ST

地区：广东深圳

认证：

深圳市波光电子有限公司

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TIP35CW TO-247 双极晶体管原装ST

制造商:

STMicroelectronics

产品种类:

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

详细信息

安装风格:

Through Hole

封装 / 箱体:

TO-247-3

晶体管极性:

NPN, PNP

配置:

Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:

100 V

集电极—基极电压 VCBO:

100 V

发射极 - 基极电压 VEBO:

5 V

最大直流电集电极电流:

25 A

Pd-功率耗散:

125000 mW

增益带宽产品fT:

3 MHz

最小工作温度:

- 65 C

最大工作温度:

+ 150 C

系列:

TIP35CW

封装:

Tube

高度:

20.15 mm

长度:

15.75 mm

技术:

Si

宽度:

5.15 mm

商标:

STMicroelectronics

直流集电极/Base Gain hfe Min:

25

产品类型:

BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:

600

子类别:

Transistors

单位重量:

38 g

TIP35CW TO-247 双极晶体管 原装ST

制造商: STMicroelectronics

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS: 详细信息

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247-3

晶体管极性: NPN, PNP

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 100 V

集电极—基极电压 VCBO: 100 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V

最大直流电集电极电流: 25 A

Pd-功率耗散: 125000 mW

增益带宽产品fT: 3 MHz

最小工作温度: - 65 C

最大工作温度: + 150 C

系列: TIP35CW

封装: Tube

高度: 20.15 mm

长度: 15.75 mm

技术: Si

宽度: 5.15 mm

商标: STMicroelectronics

直流集电极/Base Gain hfe Min: 25

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量: 600

子类别: Transistors

单位重量: 38 g

TIP35CW TO-247 双极晶体管原装ST

制造商:

STMicroelectronics

产品种类:

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

详细信息

安装风格:

Through Hole

封装 / 箱体:

TO-247-3

晶体管极性:

NPN, PNP

配置:

Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:

100 V

集电极—基极电压 VCBO:

100 V

发射极 - 基极电压 VEBO:

5 V

最大直流电集电极电流:

25 A

Pd-功率耗散:

125000 mW

增益带宽产品fT:

3 MHz

最小工作温度:

- 65 C

最大工作温度:

+ 150 C

系列:

TIP35CW

封装:

Tube

高度:

20.15 mm

长度:

15.75 mm

技术:

Si

宽度:

5.15 mm

商标:

STMicroelectronics

直流集电极/Base Gain hfe Min:

25

产品类型:

BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:

600

子类别:

Transistors

单位重量:

38 g