直插三极管STGP19NC60KD原装

地区:广东 深圳
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制造商编号: STGP19NC60KD
制造商: STMicroelectronics
产品种类: IGBT 晶体管
技术: Si
封装 / 箱体: TO-220-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
Pd-功率耗散: 125 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: STGP19NC60KD
封装: Tube
集电极最大连续电流 Ic: 35 A 
高度: 9.15 mm 
长度: 10.4 mm 
宽度: 4.6 mm 
商标: STMicroelectronics 
产品类型: IGBT Transistors 
工厂包装数量: 1000 
子类别: IGBTs 
单位重量: 6 g 

品牌

ST/意法

型号

STGP19NC60KD

封装

TO-220

批号

17+

晶体管极性

NPN

集射极击穿电压(VCEO)

600V

集电极电流(Icm)

75A

电流放大系数(hFE)

2.75V @ 15V,12A

特征频率

35A

耗散功率

125W

工作温度范围

-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型

通孔

应用领域

家用电器