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产品属性
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制造商编号: STGP19NC60KD
制造商: STMicroelectronics
产品种类: IGBT 晶体管
技术: Si
封装 / 箱体: TO-220-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
Pd-功率耗散: 125 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: STGP19NC60KD
封装: Tube
集电极最大连续电流 Ic: 35 A
高度: 9.15 mm
长度: 10.4 mm
宽度: 4.6 mm
商标: STMicroelectronics
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
单位重量: 6 g
ST/意法
STGP19NC60KD
TO-220
17+
NPN
600V
75A
2.75V @ 15V,12A
35A
125W
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
家用电器
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