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ST意法 STGF19NC60KD TO-220F ICBT

地区：广东 深圳
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ST意法 STGF19NC60KD TO-220F ICBT  参数：

ST意法 STGF19NC60KD TO-220F ICBT  参数：

ST意法 STGF19NC60KD TO-220F ICBT  参数：

STMicroelectronics

IGBT 晶体管

 详细信息

 

Si

TO-220FP-3

Through Hole

Single

600 V

2 V

20 V

35 A

32 W

- 55 C

+ 150 C

STGF19NC60KD

Tube

16 A

 

9.3 mm

 

10.4 mm

 

4.6 mm

 

STMicroelectronics

 

100 nA

 

IGBT Transistors

 

1000

 

IGBTs

 

2.300 g

























品牌

ST/意法

型号

STGF19NC60KD

封装

TO-220F

批号

17+

晶体管极性

NPN

集射极击穿电压(VCEO)

2.75V @ 15V，12A

集电极电流(Icm)

75A

电流放大系数(hFE)

询问

特征频率

询问

耗散功率

100

工作温度范围

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

通孔

应用领域

智能家居