KU310N10D-RTF N沟道MOS场效应管 100V 27A

KU310N10D-RTF N沟道MOS场效应管 100V 27A 芯片技术参数：

品牌： KEC

型号：KU310N10D-RTF/H

封装：DPAK(1)

最小包装数:3000片/包

连续漏极电流（Id）（25°C 时）:27A(Tc)

漏源电压（Vdss）:100V

栅源极阈值电压:4V @ 250uA

漏源导通电阻:31 mΩ @ 13.5A,10V

类型:N 沟道

最大功率耗散（Ta）:52W(Tc)

KU310N10D-RTF N沟道MOS场效应管 100V 27A参数及规格书资料：

N沟道MOSFET具有更好的特性，如开关时间、电阻、低栅电荷等优异的雪崩特性。适用于DC/DC转换器，同步整流和负载开关电池供电应用

KU310N10D-RTF N沟道MOS场效应管 100V 27A应用领域：

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