KF10N60F-U/PS场效应MOS管 10A 600V

KF10N60F-U/PS场效应MOS管 10A 600V芯片技术参数：

品牌：KEC

型号：KF10N60F-U/PS

封装：TO-220IS(1)

最小包装数:1000片/包

连续漏极电流（Id）:（25°C 时）10A

漏源电压（Vdss）:600V

栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA

漏源导通电阻:30 mΩ @ 5A,10V

类型:N 沟道

最大功率耗散（Ta）:46V

KF10N60F-U/PS场效应MOS管 10A 600V参数及规格书资料：

KF10N60F-U/PS是平面条形MOSFET具有开关时间快、阻值低、栅电荷小，雪崩特性好等特点。

KF10N60F-U/PS场效应MOS管 10A 600V应用领域：

适用于有源功率因数校正和开关电源

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