600V 7A N沟道MOS场效应管KF7N60F-U/PS

600V 7A N沟道MOS场效应管KF7N60F-U/PS 芯片技术参数：

封装：QFN32

最小包装数:2450片/包

600V 7A N沟道MOS场效应管KF7N60F-U/PS参数及规格书资料：

漏源电压（Vdss）：600V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc)

栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA

漏源导通电阻：1.2 Ω @ 3.5A,10V

最大功率耗散（Ta）：41W(Tc)

类型：N 沟道

600V 7A N沟道MOS场效应管KF7N60F-U/PS 应用领域：

是平面条形MOSFET具有开关时间快、阻值低、栅电荷小，雪崩特性好等特点。

适用于有源功率因数校正和开关电源

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