东芝代理供应2SK241-GR

地区:上海
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结型场效应管 上海嘉豪电子有限公司

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部件型号2SK2417 
*性N沟 
漏源电压VDSS250 V 
漏电流ID7.5 A 
漏功耗PD30 W 
门电荷总数Qg(nC) (标准)20 
漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V0.5 Ω 
封装TO-220NIS 
管脚数3 
产品分类功率MOSFET (N沟 150V<VDSS≦250V) 
装配基础日本, 泰国
品牌/商标

TOSHIBA/东芝

型号/规格

2SK241

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

DC/直流

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

ALGaAS铝镓砷

开启电压

250(V)

夹断电压

1(V)

跨导

1(μS)

*间电容

3(pF)

低频噪声系数

4(dB)

漏*电流

7.5(mA)

耗散功率

30(mW)