东芝代理供应2SK2662

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结型场效应管 上海嘉豪电子有限公司

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部件型号2SK2662 
*性N沟 
漏源电压VDSS500 V 
漏电流ID5 A 
漏功耗PD35 W 
门电荷总数Qg(nC) (标准)17 
漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V1.5 Ω 
封装TO-220NIS 
管脚数3 
表面安装型N 
产品分类功率MOSFET (N沟 250V<VDSS≦500V)
品牌

TOSHIBA/东芝

型号

2SK2662

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

AM/调幅

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

ALGaAS铝镓砷

开启电压

2(V)

夹断电压

2(V)

跨导

1(μS)

*间电容

2(pF)

低频噪声系数

2(dB)

漏*电流

2(mA)

耗散功率

2(mW)