东芝代理供应原装2SK2507

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型号: 2SK2507   EOL announced产品分类名: 晶体管/功率MOSFET/Nch 30V<VDSS≤60V
  
部件型号2SK2507 
*性N沟 
漏源电压VDSS50 V 
漏电流ID25 A 
漏功耗PD30 W 
门电荷总数Qg(nC) (标准)25 
漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=4V0.08 Ω 
漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V0.046 Ω 
封装TO-220NIS 
管脚数3 
产品分类功率MOSFET (N沟 30V<VDSS≤60V)
品牌

TOSHIBA/东芝

型号

2SK2507

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

L/功率放大

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

M*金属半导体

开启电压

5(V)

夹断电压

6(V)

跨导

1(μS)

*间电容

5(pF)

低频噪声系数

5(dB)

漏*电流

3(mA)

耗散功率

5(mW)