场效应管 BUZ100S / BUZ100SL
地区:广东 深圳
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BUZ100S
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
4(V)
2375(pF)
77,000(mA)
170,000(mW)