12+深圳公司现货IR功率MOS管SOP-8原装IRF8707GTRPBF场效应管

HEXFET功率MOSFET

参数
FET 类型  MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能  逻辑电平门
漏源*电压 (Vdss)  30V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时）  11A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值）  11.9 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值）  2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg)  9.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)  760pF @ 15V
功率 - *大值  2.5W

应用
控制MOSFET的同步降压
  转换器用于笔记本电脑
  处理器电源
控制MOSFET，用于隔离
  在网络中的DC-DC转换器
 系统

优点
*低的栅*电荷
*低的RDS（ON），在4.5VVGS
*栅*阻*
充分界定雪崩电压和电流
20VVGS*大。门等
100％测试的RG
无铅

描述
IRF8707PbF采用了*新的HEXFET功率MOSFET硅技术进入
工业标准的SO-8封装。IRF8707PbF参数进行了优化
关键的同步降压操作的Rds（on）和栅*电荷以减少传导
和开关损耗。总额减少损失，使这种产品*适合高效率的DC-DC
电源转换器，*新一代的处理器的笔记本电脑和网通的应用程序。

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