ME55N06 FQD50N06 松木MOSFET

规格

产品属性 属性值 搜索类似

制造商: 松木

产品种类: MOSFET 

RoHS:  详细信息  

技术: Si 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: TO-252-3 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 60 V 

Id-连续漏极电流: 50 A 

Rds On-漏源导通电阻: 7.1 mOhms 

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V 

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 

Qg-栅极电荷: 72 nC 

最小工作温度: - 55 C 

最大工作温度: + 175 C 

Pd-功率耗散: 136 W 

配置: Single 

通道模式: Enhancement 

资格: AEC-Q101 

商标名: TrenchFET 

封装: Cut Tape 

封装: Reel 

高度: 2.38 mm  

长度: 6.73 mm  

系列: SQ  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 6.22 mm  

商标: Vishay / Siliconix  

正向跨导 - 最小值: 62 S  

下降时间: 8 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 11 ns  

工厂包装数量: 2000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 27 ns  

典型接通延迟时间: 10 ns  

单位重量: 1.438 g