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产品属性
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此 12V、9.9mΩ、2.2mm × 1.15mm LGA 双路 NexFET™功率 MOSFET 旨在以小外形封装最大程度地降低电阻和栅极电荷。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置,非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。
特性
共漏极结构
低导通电阻
2.2mm × 1.15mm 小外形封装
无铅
符合 RoHS 环保标准
无卤素
栅极静电 (ESD) 保护
规格
产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PICOSTAR-6
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 12 V
Id-连续漏极电流: 8 A
Rds On-漏源导通电阻: 11.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 0.75 V
Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 10.9 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Dual
Pd-功率耗散: 2.3 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
封装: Reel
高度: 0.2 mm
长度: 2.2 mm
系列: CSD83325L
晶体管类型: 2 N-Channel
宽度: 1.15 mm
商标: Texas Instruments
正向跨导 - 最小值: 36 S
下降时间: 589 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 353 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 711 ns
典型接通延迟时间: 205 ns
单位重量: 1.500 mg
相关终端应用 (10)
可穿戴健身设备和活动监视器
平板电脑:多媒体
无线患者监视器
智能手机
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智能服装
电源:电池管理
睡眠诊断
移动电源
CSD83325L
TI
LGA-6
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
3000
2.2MM*1.15MM