STF11NM80 STF11 ST MOS管 800V

规格

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制造商: STMicroelectronics 

产品种类: MOSFET 

RoHS:  详细信息  

技术: Si 

安装风格: Through Hole 

封装 / 箱体: TO-220-3 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 800 V 

Id-连续漏极电流: 11 A 

Rds On-漏源导通电阻: 400 mOhms 

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V 

最小工作温度: - 65 C 

最大工作温度: + 150 C 

Pd-功率耗散: 35 W 

配置: Single 

通道模式: Enhancement 

商标名: MDmesh 

封装: Tube 

高度: 9.3 mm  

长度: 10.4 mm  

系列: STF11NM80  

晶体管类型: 1 N-Channel  

类型: MOSFET  

宽度: 4.6 mm  

商标: STMicroelectronics  

正向跨导 - 最小值: 8 S  

下降时间: 15 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 17 ns  

工厂包装数量: 1000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 46 ns  

典型接通延迟时间: 22 ns  

单位重量: 2.040 g