场效应管 电压100V 电流520mA BSP110
地区:广东 深圳
认证:
无
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产品属性
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制造商: | NXP | |
产品种类: | MOSFET | |
RoHS: | 详细信息 | |
商标: | NXP Semiconductors | |
安装风格: | SMD/SMT | |
封装 / 箱体: | SOT-223-3 | |
通道数量: | 1 Channel | |
晶体管极性: | N-Channel | |
Vds-漏源极击穿电压: | 100 V | |
Id-连续漏极电流: | 520 mA | |
Rds On-漏源导通电阻: | 10 Ohms | |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V | |
最大工作温度: | + 150 C | |
封装: | Reel | |
通道模式: | Enhancement | |
配置: | Single Dual Drain | |
最小工作温度: | - 65 C | |
Pd-功率耗散: | 6.25 W | |
工厂包装数量: | 1000 | |
晶体管类型: | 1 N-Channel | |
零件号别名: | BSP110 T/R |
BSP110BSP110BSP110
BSP110
NXP(恩智浦)
SOT-223
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率