场效应管 电压60V 电流4A STN3NF06L

制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:	详细信息
商标:	STMicroelectronics
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOT-223-3
通道数量:	1 Channel
晶体管极性:	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	4 A
Rds On-漏源导通电阻:	100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	16 V
最大工作温度:	+ 150 C
封装:	Reel
通道模式:	Enhancement
配置:	Single Dual Drain
下降时间:	10 ns
正向跨导 - 最小值:	3 S
最小工作温度:	- 55 C
Pd-功率耗散:	3.3 W
上升时间:	25 ns
系列:	N-channel STripFET
工厂包装数量:	4000
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	20 ns
典型接通延迟时间:	9 ns

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。

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