场效应管 电压-60V 电流2.6A NVF2955T1G
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
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| 制造商: | ON Semiconductor | |
| 产品种类: | MOSFET | |
| RoHS: |
 详细信息
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| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | SOT-223-3 | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| 晶体管极性: | P-Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | - 60 V | |
| Id-连续漏极电流: | - 2.6 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 154 mOhms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V | |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | - 4 V | |
| Qg-栅极电荷: | 14.3 nC | |
| 最大工作温度: | + 175 C | |
| 封装: | Reel | |
| 商标: | ON Semiconductor | |
| 配置: | Single Dual Drain | |
| 下降时间: | 38 ns | |
| 正向跨导 - 最小值: | 1.77 S | |
| 最小工作温度: | - 55 C | |
| Pd-功率耗散: | 2.3 W | |
| 上升时间: | 7.6 ns | |
| 系列: | NTF2955 | |
| 工厂包装数量: | 1000 | |
| 晶体管类型: | 1 P-Channel | |
| 典型关闭延迟时间: | 65 ns | |
| 典型接通延迟时间: | 11 ns | |
| 单位重量: | 250.200 mg |
NVF2955T1GNVF2955T1GNVF2955T1G
NVF2955T1G
ON（安森美）
SOT223
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
