场效应管 电压100V 电流12A SUD35N10-26P
地区:广东 深圳
认证:
无
图文详情
产品属性
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制造商: | Vishay | |
产品种类: | MOSFET | |
RoHS: | 详细信息 | |
商标: | Vishay Semiconductors | |
安装风格: | SMD/SMT | |
封装 / 箱体: | TO-252-3 | |
通道数量: | 1 Channel | |
晶体管极性: | N-Channel | |
Vds-漏源极击穿电压: | 100 V | |
Id-连续漏极电流: | 12 A | |
Rds On-漏源导通电阻: | 26 mOhms | |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V | |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 4.4 V | |
Qg-栅极电荷: | 31 nC | |
最大工作温度: | + 175 C | |
封装: | Reel | |
配置: | Single | |
下降时间: | 10 ns | |
最小工作温度: | - 55 C | |
Pd-功率耗散: | 8.3 W | |
上升时间: | 10 ns | |
工厂包装数量: | 2000 | |
晶体管类型: | 1 N-Channel | |
典型关闭延迟时间: | 15 ns | |
典型接通延迟时间: |
10 ns |
SUD35N10-26P SUD35N10-26P SUD35N10-26P SUD35N10-26P
SUD35N10-26P
VISHAY
TO252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率