场效应管 电压100V 电流12A SUD35N10-26P

地区:广东 深圳
认证:

日新微电子(深圳)有限公司

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制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: RoHS 合规性豁免 详细信息
商标: Vishay Semiconductors
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 12 A
Rds On-漏源导通电阻: 26 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.4 V
Qg-栅极电荷: 31 nC
最大工作温度: + 175 C
封装: Reel
配置: Single
下降时间: 10 ns
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 8.3 W
上升时间: 10 ns
工厂包装数量: 2000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 15 ns
典型接通延迟时间: 10 ns

SUD35N10-26P SUD35N10-26P SUD35N10-26P SUD35N10-26P

型号/规格

SUD35N10-26P

品牌/商标

VISHAY

封装形式

TO252

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

小功率