产品详情

场效应管 电压100V 电流370mA BSP123

地区：广东 深圳
认证： 无

日新微电子（深圳）有限公司

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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 370 mA
Rds On-漏源导通电阻: 10 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最大工作温度: + 150 C
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single Dual Drain
下降时间: 3.2 ns
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 1.79 W
上升时间: 3.2 ns
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 8.7 ns
典型接通延迟时间: 3.3 ns



BSP123 BSP123 BSP123 BSP123

型号/规格

BSP123

品牌/商标

INFINEON（英飞凌）

封装形式

SOT-223

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

小功率