场效应管 电压700V 电流6A SiHD6N62E

地区:广东 深圳
认证:

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制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
商标: Vishay Semiconductors
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 700 V
Id-连续漏极电流: 6 A
Rds On-漏源导通电阻: 900 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V to 4 V
Qg-栅极电荷: 34 nC
最大工作温度: + 150 C
封装: Bulk
配置: Single
下降时间: 16 ns
正向跨导 - 最小值: 1.8 S
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 78 W
上升时间: 10 ns
系列: E
商标名: E Series
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 22 ns
典型接通延迟时间: 12 ns

SiHD6N62ESiHD6N62ESiHD6N62ESiHD6N62E

型号/规格

SiHD6N62E

品牌/商标

VISHAY

封装形式

TO252

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

小功率