场效应管 电压700V 电流6A SiHD6N62E
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
相关推荐
| 制造商: | Vishay | |
| 产品种类: | MOSFET | |
| RoHS: |
 详细信息
|
|
| 商标: | Vishay Semiconductors | |
| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | TO-252-3 | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| 晶体管极性: | N-Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 700 V | |
| Id-连续漏极电流: | 6 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 900 mOhms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V | |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 2 V to 4 V | |
| Qg-栅极电荷: | 34 nC | |
| 最大工作温度: | + 150 C | |
| 封装: | Bulk | |
| 配置: | Single | |
| 下降时间: | 16 ns | |
| 正向跨导 - 最小值: | 1.8 S | |
| 最小工作温度: | - 55 C | |
| Pd-功率耗散: | 78 W | |
| 上升时间: | 10 ns | |
| 系列: | E | |
| 商标名: | E Series | |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel | |
| 典型关闭延迟时间: | 22 ns | |
| 典型接通延迟时间: | 12 ns |
SiHD6N62ESiHD6N62ESiHD6N62ESiHD6N62E
SiHD6N62E
VISHAY
TO252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
