场效应管 电压30V 电流19A FDMS0312S
地区:广东 深圳
认证:
无
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产品属性
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制造商: | Fairchild Semiconductor | |
产品种类: | MOSFET | |
RoHS: | 详细信息 | |
安装风格: | SMD/SMT | |
封装 / 箱体: | Power-56-8 | |
通道数量: | 1 Channel | |
晶体管极性: | N-Channel | |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V | |
Id-连续漏极电流: | 19 A | |
Rds On-漏源导通电阻: | 3.6 mOhms | |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V | |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.9 V | |
Qg-栅极电荷: | 33 nC | |
封装: | Reel | |
商标: | Fairchild Semiconductor | |
下降时间: | 4 ns | |
正向跨导 - 最小值: | 97 S | |
Pd-功率耗散: | 2.5 W | |
上升时间: | 5 ns | |
系列: | FDMS0312 | |
工厂包装数量: | 3000 | |
晶体管类型: | 1 N-Channel | |
典型关闭延迟时间: | 28 ns | |
典型接通延迟时间: | 12 ns | |
单位重量: | 74 mg |
FDMS0312S FDMS0312S FDMS0312S FDMS0312S
FDMS0312S
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DFN5*6
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