场效应管 N+P沟道 FDS4897C/AC
地区:广东 深圳
认证:
无
图文详情
产品属性
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制造商: | Fairchild Semiconductor | |
产品种类: | MOSFET | |
RoHS: | 详细信息 | |
安装风格: | SMD/SMT | |
封装 / 箱体: | SOIC-Narrow-8 | |
通道数量: | 2 Channel | |
晶体管极性: | N-Channel, P-Channel | |
Vds-漏源极击穿电压: | 40 V | |
Id-连续漏极电流: | 6.2 A | |
Rds On-漏源导通电阻: | 29 mOhms | |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V | |
最大工作温度: | + 150 C | |
封装: | Reel | |
通道模式: | Enhancement | |
商标: | Fairchild Semiconductor | |
配置: | Dual Dual Drain | |
下降时间: | 3 ns, 18 ns | |
最小工作温度: | - 55 C | |
Pd-功率耗散: | 2 W | |
上升时间: | 5 ns, 15 ns | |
系列: | FDS4897 | |
工厂包装数量: | 2500 | |
晶体管类型: | 1 N-Channel, 1 P-Channel | |
典型关闭延迟时间: | 23 ns, 45 ns | |
典型接通延迟时间: | 9 ns, 12 ns | |
单位重量: | 187 mg |
FDS4897C/AC FDS4897C/AC FDS4897C/AC FDS4897C/AC
FDS4897C/AC
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