场效应管 N+P沟道 FDS4897C/AC

地区:广东 深圳
认证:

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制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-Narrow-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 6.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 29 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Fairchild Semiconductor
配置: Dual Dual Drain
下降时间: 3 ns, 18 ns
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 2 W
上升时间: 5 ns, 15 ns
系列: FDS4897
工厂包装数量: 2500
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 23 ns, 45 ns
典型接通延迟时间: 9 ns, 12 ns
单位重量: 187 mg


FDS4897C/AC FDS4897C/AC FDS4897C/AC  FDS4897C/AC

型号/规格

FDS4897C/AC

品牌/商标

FAIRCHILD(飞兆)

封装形式

SOP8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

小功率