供应SSM6K202FE 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单

零件编号 SSM6K202FELFTR-ND

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商零件编号

SSM6K202FE,LF

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Toshiba Semiconductor and Storage

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA

Vgs（最大值） ±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 500mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 85 毫欧 @ 1.5A，4V

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 ES6（1.6x1.6）

封装/外壳 SOT-563，SOT-666

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由上图可见，即便铝膜厚度只有10 nm，其对10 GHz电磁波的衰减也可以达到50 dB，远大于我们通常从趋肤深度角度所理解的衰减量。

实际上，对于导电薄膜的情形，表面电阻可表示为：

亦即，假设矩形波导的壁厚小于趋肤深度，则计算其导体损耗时，需要将教科书中表面电阻公式中的趋肤深度替换为薄膜厚度。下面，我们给出HFSS的仿真结果，并与理论计算结果对比。电磁波形如图2所示，类似地，这里仅考虑波导宽边的损耗。仿真结果如图3所示（图中loss项表示辐射损耗；黑色线对应左侧纵坐标，红色线对应右侧纵坐标）：当电导率为0.5 MS/m时，辐射损耗显著，且随膜厚增加而减小；而当电导率为30 MS/m时，辐射损耗明显降低。