供应RF5210分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单

零件编号 IRF5210LPBF-ND

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制造商

Infineon Technologies

制造商零件编号

IRF5210LPBF

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET®

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 230nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2780pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），170W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 60 毫欧 @ 38A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-262

封装/外壳 TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA

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2. 高精度 ADC、DAC 电路

理想情况下，线性 ADC、DAC 电路信噪比与转换位数间的关系是：

SNR=10Log(F2/N2)=10Log[A2/2/(A2/3×2n)]=6.02n+1.76 dB

对于14位的线性ADC、DAC，如果使位数据(LSB)有效，可计算出的理论上的信噪比为 86dBc，与数字电路约 20dBc 的串扰要求相比，高精度 14 位线性 ADC、DAC 对噪声的要求至少比数字信号高 1000 倍。当然，如果有效位数只需要 11 位，串扰要求就可以适当放低，但仍然比数字信号的要求高很多。

上面的两种情况，说明数模混合单板中，模拟电路极易受到干扰，会影响信噪比等指标。所以在数模混合单板  设计过程中，要对布局布线提出很高的要求。