NVGS5120PT1G 原厂原装，代理渠道

产品属性
类型描述选择
类别分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商 onsemi
系列 Automotive, AEC-Q101
包装卷带（TR）剪切带（CT）
零件状态在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.8A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻 111 毫欧 @ 2.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th) 3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg) 18.1 nC @ 10 V
Vgs ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss) 942 pF @ 30 V
FET 功能 -
功率耗散 600mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型

供应商器件封装 6-TSOP
封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
基本产品编号 NVGS5120

型号/规格

NVGS5120PT1G

品牌/商标

onsemi

封装

SOT-23-6

批号

21+

供应NVGS5120PT1G 原厂原装，代理渠道