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产品属性
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FDMC8854介绍:
描述 MOSFET N-CH 30V 15A POWER33
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 6 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 15A(Tc) 2W(Ta),41W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench®
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 5.7 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 57nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3405pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2W(Ta),41W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-MLP(3.3x3.3)
封装/外壳 8-PowerWDFN
公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、
台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦;
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由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。根据三极管的原理开发出的新一代放大元件,有3个极性,栅极,漏极,源极,它的特点是栅极的内阻极高,采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧,属于电压控制型器件。
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
8-PowerWDFN
ON Semiconductor
供应电压基准 LT1029ACZ#PBF 集成电路
供应AD9260AS 集成电路(IC) 数据采集 - 模数转换器
晶体管 FT150R12KE3 模块
供应ADG508FBRN 集成电路(IC) 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器
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供应TPS51200QDRCRQ1 原厂原装,力挺实单
数据采集 MAX5438EUB 数字电位器
MPC860ENCZQ50D4 集成电路(IC) 嵌入式 - 微处理器
供应TS1851ILT 原厂原装,力挺实单
供应解码器 TC74VCX157FTEL 多路复用器