晶体管 FT150R12KE3 模块

地区:广东 深圳
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FT150R12KE3介绍:

描述 MOD IGBT LOW PWR ECONO3-4

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 含铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)

制造商标准提前期 26 周

详细描述 IGBT Module 3 Independent 1200V 200A 700W Chassis Mount Module

类别 分立半导体产品

晶体管 - IGBT - 模块

制造商 Infineon Technologies

系列 -

零件状态 在售

IGBT 类型 -

配置 3 个独立式

电压 - 集射极击穿(最大值) 1200V

电流 - 集电极(Ic)(最大值) 200A

功率 - 最大值 700W

不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.15V @ 15V,150A

电流 - 集电极截止(最大值) 5mA

不同 Vce 时的输入电容(Cies) 10.5nF @ 25V

输入 标准

NTC 热敏电阻 无

工作温度 -40°C ~ 125°C

安装类型 底座安装

封装/外壳 模块

供应商器件封装 模块


公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦;

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外部特征是指模块跟外部环境联系的接口和模块的功能;内部特征是指模块的内部环境具有的特点。其他程序编写中可以导入并且调用现成中的子程序,节约开发时间,减少重复代码,便于协作开发。

类别

分立半导体产品

封装

模块

产品族

晶体管 - IGBT - 模块

品牌

Infineon Technologies