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FT150R12KE3介绍:
描述 MOD IGBT LOW PWR ECONO3-4
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 含铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 26 周
详细描述 IGBT Module 3 Independent 1200V 200A 700W Chassis Mount Module
类别 分立半导体产品
晶体管 - IGBT - 模块
制造商 Infineon Technologies
系列 -
零件状态 在售
IGBT 类型 -
配置 3 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 200A
功率 - 最大值 700W
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.15V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值) 5mA
不同 Vce 时的输入电容(Cies) 10.5nF @ 25V
输入 标准
NTC 热敏电阻 无
工作温度 -40°C ~ 125°C
安装类型 底座安装
封装/外壳 模块
供应商器件封装 模块
公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、
台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦;
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外部特征是指模块跟外部环境联系的接口和模块的功能;内部特征是指模块的内部环境具有的特点。其他程序编写中可以导入并且调用现成中的子程序,节约开发时间,减少重复代码,便于协作开发。
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模块
晶体管 - IGBT - 模块
Infineon Technologies