供应CY7C1512V18-200BZXC集成电路（IC） 存储器

零件编号 CY7C1512V18-200BZXC-ND

现有数量 5000

制造商

Cypress Semiconductor Corp

制造商零件编号

CY7C1512V18-200BZXC

类别 集成电路（IC）

存储器

制造商 Cypress Semiconductor Corp

系列 -

包装 ? 托盘 ?

零件状态 停產

存储器类型 易失

存储器格式 SRAM

技术 SRAM - 同步，QDR II

存储容量 72Mb （4M x 18）

时钟频率 200MHz

写周期时间 - 字，页 -

存储器接口 并联

电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V

工作温度 0°C ~ 70°C（TA）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 165-LBGA

供应商器件封装 165-FBGA（15x17）

基本零件编号 CY7C1512

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与系统模拟输入和输出节点交互作用的外置高压瞬变可能破坏系统中未采用充分保护措施的集成电路(IC)。现代IC的模拟输入和输出引脚通常采用了高压静电放电(ESD)瞬变保护措施。人体模型(HBM)、机器模型(MM)和充电器件模型(CDM)是用来测量器件承受ESD事件的能力的器件级标准。这些测试旨在确保器件能承受器件制造和PCB装配流程中的静电压力，通常在受控环境中实施。

工作于恶劣电磁环境中的系统在输入或输出节点上需要承受高压瞬变——并且在从器件级标准转向系统级标准以实现高压瞬变鲁棒性时，传输到IC引脚的能量水平存在显着差异。因此，直接与这些系统输入/输出节点连接的IC也必须采用充分的保护措施，以承受系统级高压瞬变。如果在系统设计中未能及早考虑这种保护机制，结果可能导致系统保护不足、产品发布推迟、系统性能下降等问题。本文旨在描述如何保护敏感的模拟输入和输出节点，使其免受这些IEC标准瞬变的影响。