供应晶体管 IXTH13N80 MOSFET

IXTH13N80介绍：

描述 MOSFET N-CH 800V 13A TO-247

详细描述 通孔 N 沟道 800V 13A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 IXYS

系列 MegaMOS™

包装     管件

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 800V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 800 毫欧 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 170nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 300W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-247（IXTH）

封装/外壳 TO-247-3

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

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以金氧半场效晶体管（MOSFET）的命名来看，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET跟英文单字“metal（金属）”的第一个字母M，在当下大部分同类的组件里是不存在的。

IXYS Corporation拥有种类齐全的电源管理半导体产品，包括全系列功率MOSFET、IGBT、双极和混合信号IC解决方案，为广泛的电源系统应用节省能源和成本。