供应MMBTA55LT1

地区:广东 深圳
认证:

深圳市万臻科技有限公司

普通会员

全部产品 进入商铺
规格书
MMBTA55LT1
文档 Multiple Devices 03/Jan/2008
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
产品更改通知 LTB Notification 03/Jan/2008
标准包装 10
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 60V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 250mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) 100nA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 100mA, 1V
功率 - 最大 225mW
频率转换 50MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Cut Tape (CT)
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 250mV @ 10mA, 100mA
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
其他名称 MMBTA55LT1OSCT
功率 - 最大 225mW
安装类型 Surface Mount
封装 Cut Tape (CT)
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
晶体管类型 PNP
标准包装 10
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 60V
电流 - 集电极截止(最大) 100nA
电流 - 集电极( Ic)(最大) 500mA
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 100mA, 1V
频率 - 转换 50MHz

型号/规格

MMBTA55LT1

品牌/商标

ON(安森美)

封装形式

SOT23

环保类别

普通型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装