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供应FQP50N06 三*管FQP50N06 *FQP50N06 功率管FQP50N06

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市广鑫世纪电子有限公司

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60V逻辑N沟道MOSFET

 

产品特点
52.4A，60V，RDS（ON）=0.021Ω@ VGS=10 V
低栅*电荷（典型值24.5 NC）
低反向传输电容（典型为90 pF）
快速开关
100％雪崩测试
改进的dv / dt能力
175°C*高结温额定值

 

品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

FQP50N06

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

L/功率放大

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道

集电*耗散功率PCM

120

集电*允许电流ICM

25

封装形式

直插型