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IRFP054N IR功率管 IRFP054N *IRFP054N

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市广鑫世纪电子有限公司

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IRFP054N

数据列表IRFP054NPbF

产品相片TO-247-3

产品目录绘图IR Hexfet TO-247AC

标准包装25

类别分离式半导体产品

家庭FET -单

系列HEXFET®

FET型MOSFET N通道，金属氧化物

FET特点标准型

漏*至源*电压(Vdss) 55V

电流-连续漏*(Id) @ 25°C 81A

开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25°C 12毫欧@ 43A, 10V

Id时的Vgs(th)（*大）4V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs 130nC @ 10V

输入电容(Ciss) @ Vds 2900pF @ 25V

功率-*大170W

 

品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRFP054N

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

L/功率放大

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

ALGaAS铝镓砷

集电*耗散功率PCM

开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 12 毫欧 @ 43A, 10V

集电*允许电流ICM

电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 81A

封装形式

直插型