AO4421场效应管

地区:广东 深圳
认证:

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    AO4421场效应管结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,可提供极低的RDS(ON)。 该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。


    AO4421场效应管参数:

    FET 类型:P 沟道

    技术:MOSFET(金属氧化物)

    漏源电压(Vdss):60V

    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.2A(Ta)

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):40 毫欧 @ 6.2A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):55nC @ 10V

    Vgs(最大值):±20V

    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2900pF @ 30V

    FET 功能:-

    功率耗散(最大值):3.1W(Ta)

    工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

    安装类型:表面贴装

    供应商器件封装:8-SOIC

    封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)


    用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法:

    用万用表电阻的R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5V的电源电压,此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极G,将人体的感应电压信号加到栅极上。这样,由于管的放大作用,漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化,也就是漏源极间电阻发生了变化,由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小,说明管的放大能力较差;表针摆动较大,表明管的放大能力大;若表针不动,说明管是坏的。


型号/规格

AO4421

品牌/商标

AOS

封装形式

贴片

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装