图文详情
产品属性
相关推荐
AO3423场效应管采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON),低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压。 该器件适合用作负载开关应用。
AO3423场效应管参数:
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):92 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):620pF @ 10V
功率 - 最大值:1.4W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
制造商零件编号:AO3423
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述:MOSFET P-CH 20V 2A SOT23
系列:-
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动
VDS -20V
ID(at VGS=-10V) -2A
RDS(ON)(at VGS= -10V) < 92mΩ
RDS(ON) (at VGS= -4.5V) < 118mΩ
RDS(ON)(at VGS= -2.5V) < 166mΩ
Typical ESD protection HBM Class 2
MOS器件保护措施:
1、MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中,切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起,或用锡纸包装。
2、取出的MOS器件不能在塑料板上滑动,应用金属盘来盛放待用器件。
3、焊接用的电烙铁必须良好接地。
4、在焊接前应把电路板的电源线与地线短接,再MOS器件焊接完成后在分开。
AO3423
AOS
贴片
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装