意法半导体场效应管

    意法半导体场效应管参数：

    型号：STF13NM60N

    FET 类型：N 沟道

    技术：MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）：600V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：11A（Tc）

    驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：360 毫欧 @ 5.5A，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：30nC @ 10V

    Vgs（最大值）：±25V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：790pF @ 50V

    FET 功能：-

    功率耗散（最大值）：25W（Tc）

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：通孔

    供应商器件封装：TO-220FP

    封装/外壳：TO-220-3 整包

    场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。