AO4447A场效应管

    AO4447A场效应管参数：

    制造商零件编号：AO4447A

    制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述：MOSFET P-CH 30V 17A 8-SOIC

    系列：-

    FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

    FET 功能：逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss)：30V

    电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：17A（Ta）

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：7 毫欧 @ 17A，10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.6V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：105nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5500pF @ 15V

    功率 - 最大值：3.1W

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SOIC

    AO4447A场效应管特点：

    沟槽功率MOSFET技术

    低RDS（ON）

    ESD保护

    符合RoHS和无卤素标准

    系统/负载开关

    电池开关

    USB-PD负载开关

    注意事项：

    （1）在安装场效应管时，注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件；为了防管件振动，有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在弯曲时，应当大于根部尺寸5毫米处进行，以防止弯断管脚和引起漏气等。

    （2）使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才能达到30W。

    ( 3）多管并联后，由于极间电容和分布电容相应增加，使放大器的高频特性变坏，通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此，并联复合管管子一般不超过4个，而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。

    （4）结型场效应管的栅源电压不能接反，可以在开路状态下保存，而绝缘栅型场效应管在不使用时，由于它的输入电阻非常高，须将各电极短路，以免外电场作用而使管子损坏。