AO4459场效应管

    AO4459场效应管结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，可提供极低的RDS（ON）。 该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。

    AO4459场效应管参数：

    制造商零件编号：AO4459

    制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述：MOSFET P-CH 30V 6.5A 8SOIC

    FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

    FET 功能：逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss)：30V

    电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6.5A（Ta）

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：46 毫欧 @ 6.5A，10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：16nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：830pF @ 15V

    功率 - 最大值：3.1W

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SOIC

    场效应管介绍：

    一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source（源极）和drain（耗尽层）是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

    场效应管分为PMOS管和NMOS管，属于绝缘栅场效应管。