供应分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET >FQD1N80TM

制造商:  Fairchild Semiconductor   
 
产品种类:  MOSFET   
 
RoHS:   详细信息  
 
晶体管极性:  N-Channel   
 
Vds-漏源极击穿电压:  800 V   
 
Vgs-栅源极击穿电压 :  30 V   
 
Id-连续漏极电流:  1 A   
 
Rds On-漏源导通电阻:  20 Ohms   
 
配置:  Single   
 
最大工作温度:  + 150 C   
 
Pd-功率耗散:  2.5 W   
 
安装风格:  SMD/SMT   
 
封装 / 箱体:  DPAK-2   
 
封装:  Reel   
 
商标:  Fairchild Semiconductor  
 
通道模式:  Enhancement  
 
下降时间:  25 ns  
 
正向跨导 - 最小值:  0.75 S  
 
最小工作温度:  - 55 C  
 
上升时间:  25 ns  
 
系列:  FQD1N80  
 
工厂包装数量:  2500  
 
典型关闭延迟时间:  15 ns  
 
单位重量:  260.370 mg