2SD1624T-TD-E双极结型晶体管NPN 3A 50V

地区:广东 深圳
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2SD1624T-TD-E

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS: 详细信息 

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PCP-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V

集电极—基极电压 VCBO:60 V

发射极 - 基极电压 VEBO:6 V

集电极—射极饱和电压:0.35 V

最大直流电集电极电流:3 A

增益带宽产品fT:150 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:2SD1624直流电流增益 hFE 

最大值:560 

封装:Cut Tape 

封装:MouseReel 封装:Reel 

商标:ON Semiconductor 

Pd-功率耗散:1.5 W 

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 

工厂包装数量:1000 

子类别:Transistors

2SD1624T-TD-E

2SD1624T-TD-E制造商:ON Semiconductor产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)RoHS: 详细信息 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PCP-3晶体管极性:NPN配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V集电极—基极电压 VCBO:60 V发射极 - 基极电压 VEBO:6 V集电极—射极饱和电压:0.35 V最大直流电集电极电流:3 A增益带宽产品fT:150 MHz最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C系列:2SD1624直流电流增益 hFE 最大值:560 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 商标:ON Semiconductor Pd-功率耗散:1.5 W 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 工厂包装数量:1000 子类别:Transistors2SD1624T-TD-E

制造商:ON Semiconductor产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)RoHS: 详细信息 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PCP-3晶体管极性:NPN配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V集电极—基极电压 VCBO:60 V发射极 - 基极电压 VEBO:6 V集电极—射极饱和电压:0.35 V最大直流电集电极电流:3 A增益带宽产品fT:150 MHz最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C系列:2SD1624直流电流增益 hFE 最大值:560 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 商标:ON Semiconductor Pd-功率耗散:1.5 W 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 工厂包装数量:1000 子类别:Transistors

型号/规格

2SD1624T-TD-E

品牌/商标

ON(安森美)

封装形式

SOT-89

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特性

小功率

频率特性

低频

极性

NPN型

集电极—发射极电压 VCEO

50 V

集电极—基极电压 VCBO

60 V

发射极 - 基极电压 VEBO

6 V

集电极—射极饱和电压

.35 V

工作温度

-55C

工作温度:

+150C